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63.
梯度弹性理论在描述材料微结构起主导作用的力学行为时具有显著优势,将其与损伤理论相结合,可在材料破坏研究中考虑微结构的影响.基于修正梯度弹性理论,将应变张量、应变梯度张量和损伤变量作为Helmholtz自由能函数的状态变量,并在自然状态附近对自由能函数作Taylor展开,进而由热力学基本定律,推导出修正梯度弹性损伤理论本构方程的一般形式.编制有限元程序,模拟土样损伤局部化带的发展演化过程.结果表明,修正梯度弹性损伤理论消除了网格依赖性;损伤局部化带不是与损伤同时发生,而是在损伤发展到一定程度后再逐渐显现出来. 相似文献
64.
采用直接数值模拟(DNS)方法,研究了在自由来流湍流与三维壁面局部粗糙作用下平板边界层内诱导产生不稳定T-S波的物理问题.数值结果可知,在平板边界层内发现了二维和三维T-S波组成的波包空间序列以及求得了波包向前传播的群速度大小,从而证明了自由来流湍流与三维壁面局部粗糙作用是激励平板边界层内诱导产生不稳定T-S波的一种机制.随后,建立了平板边界层内被激发的二维和三维T S波的初始幅值与自由来流湍流度,三维壁面局部粗糙的流向长度、展向宽度及法向高度之间的关系.这一问题的深入研究,进一步完善了流动稳定性与湍流理论. 相似文献
65.
将可拓评价方法用于无菌医疗器具生产环境安全评价与预测研究,建立了无菌医疗器具生产环境安全可拓物元评价模型.利用关联函数动态赋权法,改进了待评物元所属安全等级特征值的计算方法,使得判别更加准确.同时也对各单项指标进行了评价与预测,可为企业决策者提供更加有效的科学依据. 相似文献
66.
基于多图谱的图像分割方法因其分割精度高和鲁棒性强,在医学图像分割领域被广泛研究,主要包含图像配准和标签融合两个步骤.目前对多图谱分割方法的研究通常都是在图谱图像和待分割目标图像具有相同分辨率的情况下展开的.然而,由于受图像采集时间,采集设备等影响,临床实践中采集的影像大多是低分辨率数据,使得目前在影像研究中广泛使用的方法无法有效应用于临床实践.因此,针对这一问题,我们结合图像超分辨率恢复方法,提出了精确鲁棒的低分辨率医学图像的多图谱分割方法,实验结果显示提出的方法显著地提高了多图谱分割方法的分割精度. 相似文献
67.
68.
通过将BiOBr纳米片与g-C3N4复合,然后原位还原,合成了具有纳米花状结构的三元异质结光催化剂g-C3N4/Bi/BiOBr.对g-C3N4/Bi/BiOBr的结构、形貌、元素价态和光学性能等进行了表征和研究.评估了g-C3N4/Bi/BiOBr对气体甲醛的光催化降解活性. g-C3N4/Bi/BiOBr在可见光照射下降解甲醛的活性与g-C3N4、 BiOBr单体和g-C3N4/BiOBr二元复合物相比显著提高. 20%-g-C3N4/Bi/BiOBr复合物可以在60 min内(λ> 400 nm)降解80%的气态甲醛(初始浓度0.16 mg·L-1). 相似文献
69.
采用毒性小、环境友好的乙二醇甲醚(ethylene glycol monomethyl ether,EGME)与水混合的双溶剂(体积比为1∶1)溶解CsBr,通过提高CsBr的溶解度,减少了后续CsBr的甲醇溶液的旋涂遍数,简化了电池制备流程。通过优化CsBr的甲醇溶液的旋涂遍数发现,在旋涂1遍200 mg·mL-1 CsBr的水/EGME溶液的基础上旋涂2遍15 mg·mL-1 CsBr的甲醇溶液,所制备的CsPb-Br3钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells,PSCs)拥有最佳的性能,实现了1.44 V的开路电压(open-circuit voltage,VOC),6.26mA·cm-2的短路电流密度(short circuit current density,JSC),74.57%的填充因子(fill factor,FF)及最高6.72%的光电转换效率(pho-toelectric conversion efficiency,PCE)。 相似文献
70.
ZHAO Jinjin LI Wei WANG Xuechen WEI Xiao ZHU Huiwen QU Wenshan MEN Dandan GAO Zhixiang WEI Bin GAO Hanfei WU Yuchen 《高等学校化学研究》2023,39(1):121-126
Organic memristors with low power consumption, fast write/erasure speed, and complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) compatibility have attracted tremendous attention to mimic biological synapses to realize neuromorphic computation in recent years. In this paper, organic resistive switching memory(ORSM) based on (Z)-3-(naphthalen-2-yl)-2-(4-nitrophenyl)acrylonitrile(NNA) and polymer poly(N-vinylcarbazole)(PVK) composite film was prepared by spin-coating method. Device performance based on NNA:PVK composite films with different mass fractions of NNA were systematically investigated. The ORSM based on PVK:40%(mass fraction) NNA composite film exhibited non-volatile and bipolar memory properties with a switching ratio(Ion/Ioff) of 24.1, endurance of 68 times and retention time of 104 s, a “SET” voltage(Vset) of -0.55 V and a “RESET” voltage(Vreset) of 2.35 V. The resistive switching was ascribed to the filling and vacant process of the charge traps induced by NNA and the inherent traps in PVK bulk. The holes trapping and de-trapping process occurred when the device was applied with a negative or positive bias, which caused the transforming of the conductive way of charges, that is the resistive behaviors in the macroscopic. This study provides a promising platform for the fabrication of ORSM with high performance. 相似文献